國產(chǎn)光刻機是一款專用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件以及聲表面波器件的研制和生產(chǎn)的優(yōu)良設(shè)備。其出色之處在于其高度優(yōu)良的找平機構(gòu)，可以實現(xiàn)對多種材料的高精度曝光，包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片和寶石片等。

　　工作方式方面，C-43型9英寸國產(chǎn)高精度光刻機采用一次性光刻曝光，即在一次操作中完成曝光的整個過程。

　　國產(chǎn)光刻機主要技術(shù)指標(biāo)：

　　設(shè)備配備了一件承片臺，其尺寸可以根據(jù)用戶的需求進行定制。

　　曝光頭采用了多點光源曝光頭，其性能特點如下：

　　出射光斑直徑不超過230mm，采用高壓直流汞燈，功率為350W。

　　在直徑為230mm的范圍內(nèi)，光的不均勻性小于±10%。

　　能夠在真空密封條件下進行曝光。

　　曝光時間可以通過0.1～999.9秒的時間繼電器進行設(shè)定。

　　汞燈的位置可以通過精密的x、y、z調(diào)節(jié)裝置進行調(diào)整，分別可以調(diào)節(jié)±5毫米。

　　具備風(fēng)扇冷卻裝置。

　　分辨率不低于5μm。

　　具備真空吸片功能。

　　具有真空密封和反吹氣的功能，通過調(diào)節(jié)密封真空的大小可以實現(xiàn)硬接觸曝光（密封真空≤-0.05Mpa）、軟接觸曝光（密封真空在-0.05Mpa～-0.02Mpa之間）和微力接觸曝光（密封真空≥-0.02Mpa）。

　　C-43型9英寸國產(chǎn)高精度光刻機主要配置：

　　一臺多點光源曝光頭，支持一次性曝光。

　　曝光面積不小于φ230mm。

　　曝光不均勻性小于±10%。

　　曝光強度不低于5mw。

　　曝光分辨率不高于5μm。

　　曝光模式為單面曝光。

　　支持多種掩膜版尺寸，包括3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、7英寸、8英寸、9英寸。

　　基片厚度不超過5mm。

　　曝光燈功率為350W。

　　曝光定時范圍為0～999.9秒，可調(diào)。

　　電源要求為單相AC220V50Hz，功耗不超過1kW。

　　需要潔凈壓縮空氣壓力不低于0.4Mpa。

　　可以實現(xiàn)真空度在-0.07Mpa～-0.09Mpa之間。

　　設(shè)備尺寸為700×650×1200毫米（長×寬×高），重量約為110kg。

　　備件包括一臺真空泵、一只汞燈和15米φ8氣管。